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在铜箔上加入少许氧 单晶石墨烯薄膜生产速度提高150倍

石墨烯是由碳原子构成的只有一层原子厚度的二维晶体材料,在电、光、机械强度上的优异特性,使其在电子学、太阳能电池、传感器等领域有着众多潜在应用。虽然需求巨大,但其制备速度缓慢,利用率一直徘徊在25%左右,成为制约其进入实际应用的瓶颈之一。近日,中国北京大学和香港理工大学的研究人员在《自然·纳米技术》杂志上发表论文称,他们在单晶石墨烯制备上取得了一项突破。通过对化学气相沉积法(CVD)的调整和改进,即在参与反应的铜箔上直接加入了少许氧气,他们将石墨烯薄膜生产的速度从每秒0.4微米加速到每秒60微米,速度提升150倍。新研究为石墨烯的大规模应用奠定了基础。