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超薄压电材料硫化镉超薄纳米片薄膜制备成功

新加坡南洋理工大学教授刘政团队与中科院苏州纳米技术与纳米仿生所研究员张珽团队联合南京大学、新加坡科技局先进制造研究所,以及美国杜克大学,五方合作,通过化学气相沉积法,制备出高质量的压电材料——硫化镉(CdS)超薄纳米片薄膜(厚度23—纳米)。研究人员通过扫描探针显微镜等原位表征技术,对硫化镉超薄纳米片材料的垂直方向压电性能进行了表征与系统研究,发现超薄硫化镉纳米片在垂直方向具有3倍于体相材料的巨大压电常数,并且理论模拟很好地验证了这个结论。这些结果为构筑超高精度的驱动器及新型高灵敏压力、位移和应变传感器奠定了重要的理论与实验的基础。